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SQ4936EY
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
10
2.5
8
6
I D = 5.8 A
V D S = 15 V
2.1
1.7
I D = 5.8 A
V GS = 10 V
4
2
0
1.3
0.9
0.5
0
3
6
9
12
15
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 ° C
0.25
0.20
0.15
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.1
0.01
T J = 25 ° C
0.10
0.05
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.001
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.6
0.3
0
- 0.3
- 0.6
- 0.9
- 1.2
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
45
40
35
30
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 1 mA
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2113-Rev. B, 07-Nov-11
4
Document Number: 68868
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